التغلب على قيود طول ديباي في مجسات الترانزستور المغلقة بالإلكتروليت باستخدام أشباه الموصلات المؤكسدية المحفورة بمقياس النانومتر والمصنعة بواسطة النقش الحراري النانوي (Adv. Funct. Mater. 30/2026) | Synapse