Zusammensetzungsgetriebenes Bandengineering und Temperatureffekte in pSi/nCdmZn1−mS Heterojunctions

Key Points

• Die Temperatur beeinflusst die Bandausrichtung in pSi/nCdmZn1−mS Heterojunctions und verbessert die Leistung.
• Ein bemerkenswerter Shift der Bandlücke wurde bei drei verschiedenen Temperaturen beobachtet.
• Die Analyse der Materialien unterstrich die Bedeutung von Zusammensetzungsvariationen im Bandengineering.
• Die Ergebnisse deuten darauf hin, dass Anpassungen in der Zusammensetzung zu optimierten elektrischen Eigenschaften führen könnten.