Hochzuverlässiges TaOₓ-ReRAM und direkter Nachweis des Redox-Reaktionsmechanismus

Hochzuverlässiges TaOₓ-ReRAM wurde erfolgreich demonstriert. Die Speicherzelle zeigt stabiles Pulsumschalten mit einer Belastbarkeit von über 10⁹ Zyklen und ausreichender Datenhaltung von mehr als 10 Jahren bei 85 °C. TaOₓ weist stabile hohe und niedrige Widerstandszustände auf, die auf dem Redox-Reaktionsmechanismus basieren, welcher erstmals direkt durch HX-PES bestätigt wurde. Ein 8 kbit 1T1R Speicherarray mit gutem Betriebsfenster wurde unter Verwendung des Standard-0,18 µm-CMOS-Prozesses gefertigt.