Le dioxyde de germanium de type rutile (r-GeO2) est un semi-conducteur à large bande interdite avec une capacité de dopage ambipolaire. Cette étude examine le dépôt chimique en phase vapeur par brouillard de GeO2 sur 3C-SiC de type (100), motivée par le faible désaccord de réseau (0,97%) entre (001) r-GeO2 et (100) 3C-SiC. Cependant, les analyses de diffraction des rayons X et de diffraction rétrodiffusée par électron (EBSD) ont révélé que les films consistaient en GeO2 α-quartz amorphe et polycristallin, plutôt qu'en r-GeO2. Les images de microscopie électronique à balayage et les cartes de figures polaires inversées EBSD suggèrent une nucléation aléatoire de GeO2 α-quartz, et la longueur de diffusion des atomes en surface varie avec la température de croissance. Une variation dans la pente du graphique d'Arrhenius pour la vitesse de croissance a été observée à une température de croissance d'environ 650 °C, indiquant un changement dans le mode de croissance. Ces résultats démontrent que l'adéquation des longueurs de réseau seule est insuffisante pour stabiliser r-GeO2 et soulignent le rôle critique de la nature du substrat dans la réalisation de la croissance de films minces de r-GeO2.
Shimazoe et al. (Tue,) ont étudié cette question.