Ce travail présente une étude systématique de l'évolution sous pression de la structure électronique de ZrSiS à l'aide de mesures de magnétotransport volumique sous pression hydrostatique et de calculs de premiers principes. La magnétorésistance mesurée à quatre points de pression (0. 25, 0. 47, 1. 55 et 2. 10 GPa) présente des oscillations nettes de Shubnikov-de Haas caractérisées par cinq fréquences dominantes, F_=17, F_=37, F_=93, F_=138 et F_=2420. 16em{0ex}T, qui restent pratiquement inchangées avec l'augmentation de la pression. Afin de sonder l'évolution sous pression des états électroniques, la phase de Berry (₁) a été extraite à partir d'analyses de diagrammes en éventail des niveaux de Landau. Les valeurs extraites de ₁ pour les orbites et montrent une évolution systématique avec la pression, passant de valeurs proches de à basse pression à des valeurs approchant zéro au-dessus de 0. 47 GPa, ce qui suggère un changement possible de la topologie électronique près de cette pression. Pour examiner plus en détail l'évolution de la topologie des bandes, nous avons calculé les invariants topologiques. Les résultats suggèrent des états non triviaux à basse pression et une tendance vers des états triviaux à des pressions plus élevées, ce qui concorde avec l'évolution de la phase de Berry observée expérimentalement. Afin d'étudier plus en profondeur la structure électronique sous-jacente, des calculs de premiers principes ont été effectués jusqu'à 16 GPa. Les structures de bandes calculées révèlent de multiples croisements de Dirac près du niveau de Fermi dérivés principalement des orbitales d du Zr et p du S, qui restent robustes sous pression. Les calculs de dispersion des phonons ne montrent aucun mode imaginaire jusqu'à 16 GPa, confirmant la stabilité dynamique de ZrSiS sous compression hydrostatique. L'ensemble des résultats expérimentaux et théoriques indique que la pression modifie les états électroniques sans reconstruction prononcée de la surface de Fermi, mettant en lumière le rôle des variations subtiles de la structure électronique. Ces résultats apportent un éclairage sur l'évolution électronique induite par la pression dans les semi-métaux à ligne nodale et les matériaux quantiques apparentés.
Beekmann et al. (Mon,) ont étudié cette question.