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Le mémristor a d'abord été théorisé comme un élément électrique, fournissant le lien manquant entre la charge et le flux. Grâce aux avantages de la taille à l'échelle nanométrique, plusieurs mémristors interconnectés ont démontré des caractéristiques globales uniques, idéales pour une utilisation dans des systèmes neuromorphiques. Cependant, par rapport au circuit à mémristor individuel, peu de travaux ont exploré le comportement global des systèmes mémristifs multiples. En particulier, l'absence d'une approche de diagnostic des pannes pour les structures de réseaux mémristifs composites rend toutes les applications correspondantes instables et précaires. Dans cet article, les propriétés extraordinaires des circuits à mémristor multiples sont étudiées plus en détail avec des dérivations de formules complètes et des simulations informatiques scientifiques. De plus, un générateur de doubles de rétroaction spécial est conçu pour mettre en œuvre le diagnostic paramétrique des pannes basé sur la logique floue des circuits à mémristor multiples, offrant de grands avantages en termes de précision et de consommation de temps. Enfin, l'ensemble du schéma est validé par un exemple illustratif.
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Zhekang Dong
Chaoyong Li
Donglian Qi
IEEE Access
Zhejiang University
Southwest University
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Dong et al. (Fri,) ont étudié cette question.
www.synapsesocial.com/papers/6a104f984fb650da4fff4548 — DOI: https://doi.org/10.1109/access.2016.2566928
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