超薄膜二次元層状半導体In2Se3における面内および面外相関強誘電性

可視光感度および多軸スイッチング能力を備えた強誘電材料の機能強化は、多様な信号操作機能を持つ高度情報記憶の新たな応用機会を開く。本研究では、室温における2次元(2D)ファンデルワールス層状α-In2Se3超薄片の強固な層内強誘電性の実験的観測を報告する。従来の2Dや一般的な強誘電体とは異なり、In2Se3は本質的に面外および面内分極が相関しており、垂直電場による面外分極の反転が面内分極の回転も誘起する。面内スイッチ可能ダイオード効果と強誘電性In2Se3の狭いバンドギャップ(約1.3 eV)に基づき、電場および可視光照射の両方で制御可能な試作型不揮発性メモリーデバイスを示し、データ記憶技術の進展に寄与する。