量子領域におけるサファイアのマイクロ波誘電損失のパーツ・パー・ビリオン感度による精密測定

超伝導キュービットのデコヒーレンスをよりよく理解するために、著者らは誘電基板の損失正接を測定し、誘電損失がキュービットの寿命に与える影響を予測する技術を開発しました。この技術は平面デバイスの製作を必要とせず、材料プラットフォームに依存しません。サファイアに対する測定は、この手法の実証として、一般的なサファイアの形状上の超伝導キュービットのコヒーレンスがバルク誘電損失によって著しく制限されていることを示唆しています。同じ技術は、別の形状のサファイアがこのバルク誘電損失を大幅に軽減し、キュービットのコヒーレンスを延長することも示しています。