1T-SnSe₂에서 결합된 전기 전도 교차 및 포논 이상 현상

본 연구에서는 1T-SnSe2 단결정의 온도 의존 전기 전달과 라만 분광 측정을 제시한다. 분광 타원계 분석을 통한 상온 평면 내 광흡수 스펙트럼은 각각 1.19 및 1.52 eV의 간접 및 직접 밴드갭을 나타낸다. 전기 전도 데이터는 약 100 K 부근에서 넓은 전도도 최대값을 보이며, 28~300 K 구간에서 열 활성화된 준금속성 전도 채널이 2차원 변수범위 호핑 전도성과 공존함을 설명할 수 있다. 온도 의존 라만 스펙트럼은 109 및 183 cm⁻¹에서의 1차 Eg 및 A1g 포논 모드를 분리한다. 이들 포논 모드는 각각 브라이트-와이너-파노(BWF) 및 보이그트 선형으로 적합되었다. 특히, 파노 비대칭 매개변수와 보이그트 선폭은 약 100 K 부근에서 이상 현상을 보이며 전기 전도의 특징과 양적으로 일치하는 반면, 피크 위치 및 스펙트럼 폭은 10에서 300 K까지 단조롭게 변화한다. 전자 밴드 구조와 포논 분산에 대한 일원론적 계산을 통해 밴드갭 에너지 및 스펙트럼 할당이 확인되었다. 이 결과들은 1T-SnSe2에서 전자 밴드 구조, 전하 전달 및 격자 진동의 일관된 이해를 확립한다.