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A integração de CMOS-RRAM tem grande potencial para computação neuromórfica de baixa energia e alta taxa de transferência. No entanto, a maioria das tecnologias RRAM que dependem da comutação filamentar sofre de variações e ruído, levando à perda de precisão computacional, aumento do consumo de energia e sobrecarga por esquemas caros de programação e verificação. Desenvolvemos uma tecnologia de RRAM de comutação em massa, livre de filamentos, para enfrentar esses desafios. Projetamos sistematicamente uma pilha de óxido metálico trilayer e investigamos as características de comutação do RRAM com espessuras variadas e distribuições de vacâncias de oxigênio para alcançar uma comutação em massa confiável sem formação de filamentos. Demonstramos a comutação em massa na faixa de megaohm com alta não-linearidade de corrente, até 100 níveis sem corrente de conformidade. Desenvolvemos uma plataforma de computação neuromórfica em memória e apresentamos computação na borda implementando uma rede neural de picos para uma tarefa de navegação/corrida autônoma. Nosso trabalho aborda os desafios impostos pelas tecnologias RRAM existentes e abre caminho para a computação neuromórfica na borda sob estritas restrições de tamanho, peso e energia.
Park et al. (qui,) estudaram esta questão.