В работе представлены новые экспериментальные данные о взаимодействии импульсов терагерцевого излучения с кристаллом теллурида цинка ZnTe. Обнаружено, что с ростом напряженности электрического поля терагерцевого импульса коэффициент пропускания кристалла ZnTe увеличивается относительно его начального значения. Максимальное увеличение коэффициента пропускания наблюдается при напряженности поля 10 МВ/см и достигает ~2.5 раз.
A.V. Ovcinnikov (Wed,) studied this question.
Synapse has enriched 5 closely related papers on similar clinical questions. Consider them for comparative context: