Представлено описание генератора наносекундных импульсов. Импульсы формируются при лавинном пробое транзистора, который также участвует в формировании напряжения, необходимого для лавинного пробоя коллекторного перехода. В результате схема компактна и работоспособна уже при питающем напряжении 1.1 В. Схема весьма проста, не требует наладки, применяемые детали доступны. Амплитуда формируемых импульсов составляет примерно 40 В при нагрузке 50 Ом.
М. И. Кулиш (Wed,) studied this question.