본 연구는 동질 이산화규소 구와 이질 자철석 나노입자를 씨앗으로 사용하여 이산화규소 성장 과정을 조사합니다. 이산화규소 씨앗 입자에 대해 성장 과정은 가수분해된 테트라에틸 옥시실리케이트(TEOS)가 입자 표면의 실라놀 그룹에 응축됨으로써 발생하였습니다. 이 메커니즘은 구의 직경이 지속적으로 증가하는 결과를 초래하였으며, 여러 재성장 주기 후 성장 속도가 정체되었습니다. 이는 활성 표면 실라놀 그룹의 고갈로 인한 것으로 보입니다. 반면, 자철석 씨앗에 대해서는 뚜렷한 성장 행동이 관찰되었습니다. 음전하를 가진 이산화규소 전구체와 양전하를 가진 자철석 입자 간의 정전기적 인력이, 제타 전위 측정으로 확인되어 이질 응집 현상을 유도하였습니다. 이 과정은 유효 핵생성 사이트의 수를 감소시켜, 순수 이산화규소 시스템에 비해 유의미하게 더 큰 복합 구의 형성으로 이어졌습니다.
토요자토 외 (Thu,)는 이 질문을 연구했습니다.