Das Ohmsche Gesetz bietet einen grundlegenden Rahmen zum Verständnis des Ladungstransports in Leitern und bildet die Grundlage für das Konzept der elektrischen Skalierung, das den kontinuierlichen Fortschritt moderner CMOS-Technologien ermöglicht hat. Wenn Transistoren auf kleinere Dimensionen skaliert werden, treten die Kanäle unvermeidlich in niedrigdimensionale Regime ein, um eine höhere Leistung zu erreichen. Niedrigdimensionale Materialien wie atomar dünne Oxidhalbleiter, 2D van-der-Waals-Halbleiter und 1D Kohlenstoffnanoröhren haben sich somit als Schlüsselspieler zur Verlängerung des Moore'schen Gesetzes herauskristallisiert. Hier offenbaren wir den grundlegenden Unterschied zwischen dreidimensionalen und niedrigdimensionalen Leitern, der aus der durch Störungen induzierten Elektronlokalisierung resultiert, die zum Zerfall des Ohmschen Gesetzes und zu lateraler linearer Skalierung führt. Wir entwickeln ein quantitatives Modell, das den gestörten Bereich erfasst, ein einzigartiges Merkmal, das intrinsisch für niedrigdimensionale Transistoren ist. Darüber hinaus erklärt der Rahmen der durch Störungen induzierten Lokalisierung konsistent die experimentellen Beobachtungen in atomar dünnen In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Feldeffekttransistoren. Diese Arbeit etabliert ein einheitliches physikalisches Bild für das Verständnis und die Optimierung des durch Störungen getriebenen elektronischen Transports in niedrigdimensionalen Transistoren.
Niu et al. (Do,) untersuchten diese Frage.