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Desenvolver um fotodetector UV autônomo usando nanofios p-CsCu2I3/n-Ga2O3 com desempenho aprimorado através da engenharia de interface.

April 19, 2026Journal of Materials Chemistry C0 citations

Junctions de nanofios p-CsCu 2 I 3 /n-Ga 2 O 3 projetadas para interface para fotodetecção ultravioleta autônoma

RLRuhan Luan FZFengzhou Zhao XMXianling Meng

Key Points

Desenvolver um fotodetector UV autônomo usando nanofios p-CsCu2I3/n-Ga2O3 com desempenho aprimorado através da engenharia de interface.
Projetou um dispositivo de junção de nanofios todo-inorgânicos
Utilizou uma camada de interposição de CuI para aprimoramento da interface
Realizou avaliações de desempenho para responsividade e detectividade
Alcançou uma responsividade de 120,3 mA W−1
Alcançou uma detectividade de 1,5 × 10^12 Jones
Demonstrou capacidade de resposta UVA–UVC

Abstract

Um fotodetector UV autônomo todo-inorgânico p-CsCu 2 I 3 /n-Ga 2 O 3 NW é desenvolvido. Usando uma camada de interposição de CuI para engenharia de interface, o dispositivo alcança resposta UVA–UVC com alta responsividade (120,3 mA W −1 ) e detectividade (1,5 × 10 12 Jones).

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