RÉSUMÉ La commutation résistive dans les dispositifs memristor à base d'oxyde est gouvernée par plusieurs phénomènes physiques et électrochimiques au sein des oxydes. La nature statistique de la formation des défauts et du transport de charge rend difficile le contrôle des caractéristiques des dispositifs, entraînant une variation élevée de la commutation et de l'espace. Par conséquent, améliorer la qualité de la couche d'oxyde par une technique de dépôt contrôlée avec une faible rugosité de surface du film et une haute uniformité électrique est crucial pour obtenir des caractéristiques de commutation stables et réduire les variations entre cycles et dispositifs. Dans ce travail, nous montrons que l'uniformité électrique du film de Ta2O5 et ses performances de commutation résistive peuvent être améliorées en co-sputtant la couche de Ta2O5 avec du Cu. L'approche d'implantation in situ améliore l'uniformité du film et aide à atteindre des tensions de formation plus basses. Contrairement aux memristors à base de Ta2O5, les dispositifs à base de Ta2O5 dopés au Cu présentent une commutation plus fiable avec une faible variabilité de cycle à cycle et de dispositif à dispositif en réduisant l'écart type et le coefficient de variation des tensions SET et RESET. Les valeurs de résistance élevée et de faible résistance sont trouvées plus stables avec une minimale variation spatiale. De plus, les dispositifs proposés présentent une vitesse de commutation inférieure à 10 ns et plusieurs états résistifs, démontrant un grand potentiel pour des applications neuromorphiques et de calcul en mémoire.
Chen et al. (Sun,) ont étudié cette question.