Fabricación de puntos cuánticos de espín de silicio de 300 mm utilizando litografía EUV 0.33NA

Demostramos un proceso de 300 mm para 2 tipos de arquitecturas de dispositivos de qubit de espín de puntos cuánticos SiMOS habilitadas por litografía EUV. Primero, mostramos un proceso de compuertas superpuestas para qubits de espín, donde las compuertas se fabrican por primera vez usando litografía EUV 0.33NA. Reportamos una excelente reproducibilidad, funcionalidad a temperatura ambiente en toda la oblea y buenas métricas de punto cuántico y qubit a 10 mK. Segundo, para habilitar la escalabilidad del qubit, demostramos una arquitectura de dispositivo de compuerta de una sola capa fabricada con patrón EUV 0.33NA para la compuerta y 2 capas damascenas EUV BEOL.