Observación del efecto Hall anómalo en una nueva estructura antiferromagnética no coplanar

Los antiferromagnetos (AFM) han suscitado un interés significativo como candidatos prometedores para dispositivos espintrónicos de próxima generación. Sin embargo, la lectura de los AFM es un problema fundamental debido a su magnetización neta insignificante. Actualmente, los investigadores encuentran que el efecto Hall anómalo (AHE) en los AFM es crucial para realizar la magnetorresistencia por túnel, que es eficiente para la lectura de AFM. Explorar nuevas estructuras de AFM que puedan albergar AHE podría avanzar aún más la investigación sobre el mecanismo en AFM no convencionales. En este trabajo, reportamos un AHE en una nueva estructura AFM no coplanar con el grupo espacial magnético RΙ3¯c. La fase RΙ3¯c se estabiliza con éxito en la película epitaxial Mn2.6Cr0.4GaN. Mediante el análisis de la relación entre la resistividad Hall anómala ρyxA y el momento de saturación MS, se confirma que el AHE surge de la estructura AFM RΙ3¯c. Se observa una conductividad Hall anómala correspondiente que supera los 50 Ω−1 cm−1, comparable con otros AFM no colineales. Los hallazgos presentan un nuevo candidato para materiales espintrónicos AFM y proporcionan una nueva referencia para comprender la esencia del AHE en estructuras AFM.