Perspectiva desde la dinámica molecular sobre el comportamiento del límite de fase y el mecanismo de remoción de material durante el corte nanométrico de RB-SiC a diversas temperaturas

Este estudio utilizó simulaciones de dinámica molecular (MD) para investigar sistemáticamente el mecanismo de remoción de material del carburo de silicio reactivo unido (RB-SiC) durante el corte nanométrico a diferentes temperaturas, cubriendo la brecha en la comprensión del mecanismo de remoción de material en el límite de fase de materiales bifásicos con propiedades desajustadas. Los resultados muestran que el fuerte desajuste en propiedades mecánicas entre el límite de fase Si/SiC produce un efecto distintivo de guía suave causado por el gradiente de dureza, es decir, las estructuras amorfas fluyen preferentemente a lo largo del límite de fase hacia la fase de Si más blanda, conduciendo a defectos en forma de V apuntando hacia la fase Si. A temperaturas elevadas, el efecto de ablandamiento térmico se vuelve más pronunciado, conduciendo a una reducción de las fuerzas de corte del 32,2%. Además, el grado de amorfización en la fase SiC se debilita y la deformación plástica de la fase Si aumenta, resultando en un efecto de guía suave por gradiente de dureza más significativo a temperaturas elevadas. En general, este trabajo provee nuevas perspectivas teóricas sobre el rol crítico no reportado del límite de fase Si/SiC en RB-SiC.