Investigación espectroscópica de los efectos del control del ancho de banda en el estado de Mott-Hubbard en películas delgadas epitaxiales de RVO3 (R = La, Pr, Y)

Puntos clave

• Esta investigación tiene como objetivo comprender cómo el control del ancho de banda afecta el estado de Mott-Hubbard en películas delgadas epitaxiales de RVO3.
• Se realizó una investigación espectroscópica de películas delgadas de RVO3 (R = La, Pr, Y).
• Se estudiaron películas crecidas sobre sustratos de LaAlO3.
• Se analizó la estructura electrónica bajo diversas condiciones de tensión.
• Se identificaron cambios sistemáticos en la estructura electrónica según las modificaciones del sitio R.
• Se demostró la influencia de la tensión epitaxial en las características de Mott-Hubbard.