Posibilidad de un transistor de efecto campo metálico

Desarrollamos argumentos teóricos que demuestran la posibilidad de transistores de efecto campo metálico en sistemas unidimensionales y particularmente en nanotubos de carbono con configuración armchair. Un campo eléctrico muy inhomogéneo, como el campo de una punta de túnel, puede penetrar en los nanotubos que están relativamente débilmente apantallados y abrir una brecha de energía. Como consecuencia, se forma una barrera energética que impide el flujo de electrones y por lo tanto permite la acción de transistor. Este tipo de efecto campo metálico es ventajoso debido a la alta conductancia de los tubos metálicos en el estado ON.