Propriétés de correspondance des transistors MOS

Les propriétés de correspondance de la tension de seuil, du facteur de substrat et du facteur de courant des transistors MOS ont été analysées et mesurées. Des améliorations de la théorie existante sont proposées, ainsi que des extensions pour la correspondance à longue distance et la rotation des dispositifs. Les paramètres de correspondance de plusieurs procédés sont comparés. Les résultats de correspondance ont été vérifiés par des mesures et des calculs sur plusieurs circuits de base.