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MOSトランジスタのしきい値電圧、基板係数、電流係数のマッチング特性を解析および測定した。既存の理論の改良点や、長距離マッチングおよびデバイスの回転に関する拡張も示した。複数のプロセスにおけるマッチングパラメータを比較した。マッチング結果は、いくつかの基本回路での測定と計算により検証されている。
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Marcel Pelgrom
Aad C.J. Duinmaijer
A.P.G. Welbers
IEEE Journal of Solid-State Circuits
Philips (Netherlands)
Philips (Finland)
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Pelgromら(Sun,)はこの問題を研究した。
www.synapsesocial.com/papers/69d9c56b3e67f8d1386842e4 — DOI: https://doi.org/10.1109/jssc.1989.572629
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