Investigação por princípios fundamentais de nanofitas de MgO funcionalizadas com arsênio

Resumo A variação nas propriedades das nanofitas de MgO em relação aos átomos de arsênio (As) é discutida no presente trabalho. Para avaliar o comportamento das MgONRs em relação aos átomos de As, foi adotada a abordagem de primeiros princípios dentro do contexto da teoria do funcional de densidade para avaliar as características eletrônicas e de transporte das MgONRs. Os resultados revelaram que a terminação por As melhora a estabilidade das MgONRs em comparação com as MgONRs hidrogenadas (H–MgO–H). As características eletrônicas das MgONRs são significativamente alteradas com a passivação por As. Além disso, as características corrente–tensão (I–V) revelam uma condutividade de corrente significativamente aumentada para as MgONRs terminadas em As (As–MgO–As). Isso determina que suas características de transporte são significativamente aprimoradas com a terminação por As. Além disso, a densidade de estados do dispositivo local mostra que a transmissão de portadores ocorre principalmente através das bordas. A partir dos resultados obtidos, pode-se concluir que as MgONRs podem ser utilizadas de forma eficiente como um material eficaz para futuras aplicações nanoeletrônicas.