تنظيم التسبك في موقع A من بيروفسكايت Cs 2-x Rb x InBr 5 ·H 2 O لتطبيقات مصابيح LED تحت الحمراء القريبة

لقد جذبت بيروفسكايتات الهاليد الخالية من الرصاص اهتمامًا كبيرًا بسبب سمّيتها المنخفضة وخصائصها البصرية المواتية. إلا أن تحقيق انبعاث فعال في النطاق القريب من تحت الحمراء (NIR) غالبًا ما يعاني من مقايضة بين الانزياح الأحمر وكفاءة الكم. في هذا العمل، نُبلغ عن استراتيجية تزامنية بين المضيف والدوبان في بيروفسكايتات Cs2-xRbxInBr5·H2O ذات الأبعاد الصفرية. يؤدي التسبك بالRb+ بشكل مُتحكم إلى انكماش الشبكة البلورية، الأمر الذي يضعف بشكل غير متوقع الربط بين الإلكترون-الفونون ويُقلل من التلاشي غير الإشعاعي، مما يؤدي إلى كفاءة كمومية انبعاث ضوئي عالية تبلغ 53.2%. بعد ذلك، يساهم الدوبان بـMn2+ في تماثل حالات العيوب، مما يعزز كفاءة الكم الضوئي إلى 67.5%. توضح حسابات نظرية الدالة الكثافية والمطيافية المعتمدة على درجة الحرارة دور إجهاد الشبكة في تنظيم انبعاث الإثارة المحبوسة ذاتيًا. يُظهر جهاز نموذج لمصباح LED محول بفوسفور تحت الأحمر القريب (pc-LED) مصنوع من المادة المحسنة أداءً واعدًا في التصوير بالرؤية الليلية وتطبيقات نمو النباتات. يوفر هذا العمل استراتيجية تصميم قابلة للتطبيق للفوسفورات تحت الحمراء القريبة الفعالة والمستقرة من خلال هندسة مشتركة للشبكة والعيوب.