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L'objectif est de croître et de caractériser des cristaux uniques MgGa2O4 pour leur utilisation dans des applications à haute température et en DUV.

March 26, 2026

Croissance et caractérisation de cristaux uniques MgGa2O4 à très large bande interdite

Key Points

L'objectif est de croître et de caractériser des cristaux uniques MgGa2O4 pour leur utilisation dans des applications à haute température et en DUV.
Synthèse de cristaux uniques MgGa2O4 dans des conditions de haute température.
Caractérisation de la structure cristalline et des propriétés.
Évaluation de la stabilité et des performances dans des applications DUV.
Les cristaux MgGa2O4 ont démontré une stabilité à haute température.
La structure cristalline a montré un potentiel pour les applications DUV.
Des applications potentielles ont été identifiées dans les dispositifs d'émission lumineuse et de puissance.

Abstract

Les semi-conducteurs ultra-large bande interdite à haute température stables dans l'ultraviolet profond (DUV) présentent un potentiel d'application significatif dans les domaines de l'émission lumineuse, des dispositifs de puissance et de la détection aveugle au solaire. Dans ce travail, des cristaux uniques MgGa2O4 thermiquement stables à haute température...

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Huihui Li

Yiyuan Liu

Xinyu Liu

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