ITO薄膜における伝導に対する固有点欠陥の検出、同定、および影響

深さ分解型陰極蛍光分光法およびバン・ダー・パウホール測定を用いて、分子線エピタキシー成長および加工条件がインジウムスズ酸化物（ITO）の固有点欠陥に及ぼす影響を調査しました。この光学技術のナノメートル近接の深さ分解能により、これらの欠陥を除去または生成することに関連したスペクトル変化を特定でき、その結果、ITOのバンドギャップ内の酸素関連欠陥を同定しました。ITOの近表面部位の検出と加工、およびホール効果移動度との相関を組み合わせることで、特定の固有点欠陥の物理的性質を明らかにし、それらの密度を低減して自由キャリア濃度と超薄膜ITOの導電率を向上させる方策が示されました。