Exploiter la lithographie par sonde de balayage pour la photonique intégrée avec des matériaux anisotropes

Key Points

• L'objectif est de développer des techniques de fabrication sans dommage pour intégrer des semi-conducteurs à indice élevé et à large bande interdite dans des circuits nanophotoniques.
• Utilisation de la lithographie par sonde de balayage pour réaliser l'intégration.
• Concentration sur l'anisotropie mécanique des semi-conducteurs laminés.
• Démonstration réussie d'une technique guidée par la cristallographie.
• Obtention d'une meilleure compatibilité de fabrication avec les semi-conducteurs laminés.

Abstract